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NXP Semiconductors MCF54454VP266
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU REDSTRIPE 360 ColdFire 비재고 리드 타임 16 주
최소: 300
배수: 300

NXP Semiconductors MCF54455VP266
NXP Semiconductors 마이크로프로세서 - MPU REDSTRIPE 360 ColdFire 비재고 리드 타임 16 주
최소: 300
배수: 300

Renesas Electronics R9A09G087M08GBA#AC1
Renesas Electronics 마이크로프로세서 - MPU RZ/N2H FCBGA669 SINGLE CA55 SEC BULK 비재고 리드 타임 26 주
최소: 84
배수: 84

Renesas Electronics R9A09G087M08GBA#BC1
Renesas Electronics 마이크로프로세서 - MPU RZ/N2H FCBGA669 SINGLE CA55 SEC FULL 비재고 리드 타임 26 주
최소: 672
배수: 672

Renesas Electronics R9A09G087M28GBA#AC1
Renesas Electronics 마이크로프로세서 - MPU RZ/N2H FCBGA669 DUAL CA55 SEC BULK 비재고 리드 타임 26 주
최소: 84
배수: 84

Renesas Electronics R9A09G087M28GBA#BC1
Renesas Electronics 마이크로프로세서 - MPU RZ/N2H FCBGA669 DUAL CA55 SEC FULL 비재고 리드 타임 26 주
최소: 672
배수: 672

Renesas Electronics R9A09G087M48GBA#AC1
Renesas Electronics 마이크로프로세서 - MPU RZ/N2H FCBGA669 QUAD CA55 SEC BULK 비재고 리드 타임 26 주
최소: 84
배수: 84

Renesas Electronics R9A09G087M48GBA#BC1
Renesas Electronics 마이크로프로세서 - MPU RZ/N2H FCBGA669 QUAD CA55 SEC FULL 비재고 리드 타임 26 주
최소: 672
배수: 672

Terasic Technologies S0567
Terasic Technologies 메모리 모듈 QDRII+ Memory Module for Stratix 10 Board 재고 없음
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500