결과: 286
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM
Infineon Technologies SRAM 16Mb Powersnooze 3.3V ERR pinMil temp
비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,400
배수: 2,400
없음

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 135
배수: 135


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/2 Pins, RoHS, Auto temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 512Kb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1