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필터

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적용된 필터
메모리 타입 = SRAM
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM
Infineon Technologies SRAM 16Mb Powersnooze 3.3V ERR pinMil temp
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,400
배수: 2,400
없음

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 1.65V-.2.2V, 30MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 512Kb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480

Alliance Memory SRAM LP SRAM, 1Mb, 64K x 16, 2.7 - 5.5V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480

Alliance Memory SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 16
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V
데이터시트
재고 없음
최소: 480
배수: 480
: 480