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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/2 Pins, RoHS, Auto temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480