|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62158G30-45ZSXI
- CY62158G30-45ZSXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩16,068
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62158G3045ZSXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩16,068
|
|
|
₩14,944.8
|
|
|
₩14,476.8
|
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|
₩14,196
|
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보기
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₩13,572
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₩13,119.6
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|
최소: 1
배수: 1
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|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62157GE30-45BVXI
- CY62157GE30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,787.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-Y62157GE3045BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩15,787.2
|
|
|
₩14,679.6
|
|
|
₩14,632.8
|
|
|
₩14,586
|
|
|
₩12,417.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXI
- CY62158GE30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩16,348.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-Y62158GE3045BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩16,348.8
|
|
|
₩12,682.8
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|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1:
₩24,991.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W1248EBLL1TLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩24,991.2
|
|
|
₩23,166
|
|
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₩22,432.8
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|
₩21,387.6
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보기
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₩13,618.8
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₩20,857.2
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₩20,545.2
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|
|
₩20,014.8
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|
|
₩13,618.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,461.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩13,977.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2TIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,086.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1B2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩13,618.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1T2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩14,461.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2BI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI
- ISSI
-
135:
₩14,133.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2TI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩14,133.6
|
|
|
₩14,118
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10B2LI
- ISSI
-
480:
₩14,086.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEBL1B2I
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,086.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEBL1BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10B2LI
- ISSI
-
480:
₩14,414.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV10248BL1B2LI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,414.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV10BL10B2LITR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10TLI
- ISSI
-
135:
₩13,774.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV1248EBLL1TLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩13,774.8
|
|
|
₩13,759.2
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
- IS61WV51216BLL-10MLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩24,804
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216B10MLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩21,372
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216DA2BLIR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EDALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩20,420.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216DA2TLIR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩21,372
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216EDA2BLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EDALL-20TLI
- ISSI
-
135:
₩20,420.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216EDA2TLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩18,798
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV512DBLL8TLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDBLL-8BLI
- ISSI
-
480:
₩19,624.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV512EDBLL8BLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩19,624.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV56EDBLL8BLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb, Low Power Async, 1Mbx8 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS62C10248AL-55TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩17,175.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-62C10248AL55TLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb, Low Power Async, 1Mbx8 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb, Low Power Async, 512Kx16, 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS62C51216AL-55TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩17,175.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-62C51216AL55TLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb, Low Power Async, 512Kx16, 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
