8 Gbit 반도체

반도체의 유형

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결과: 168
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 2,100
배수: 2,100
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 2,100
배수: 2,100
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
최소: 960
배수: 96
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,200
배수: 220
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,200
배수: 220
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 2,100
배수: 2,100

GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960

GigaDevice GD9FU8G8E4DLGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 2,100
배수: 2,100

GigaDevice GD9FU8G8E4DMGI
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 960
배수: 960

Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,900
배수: 1,900