8 Gbit 반도체

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결과: 153
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩91,338
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
₩116,968.8
최소: 220
배수: 220
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩116,968.8
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩123,427.2
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩91,338
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (2CS), 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 6 주
₩137,342.4
최소: 220
배수: 220
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 비재고 리드 타임 6 주
₩54,849.6
최소: 180
배수: 180
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND 플래시 8Gbit Parallel NAND 플래시 1.8V FBGA-63 Industrial(-40C to +85C) 재고 없음
₩74,162.4
최소: 2,100
배수: 2,100
GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND 플래시 8Gbit Parallel NAND 플래시 1.8V TSOPI-48 Industrial(-40C to +85C) 재고 없음
₩72,992.4
최소: 960
배수: 960
GigaDevice GD9FU8G8E4DLGI
GigaDevice NAND 플래시 8Gbit Parallel NAND 플래시 3.3V FBGA-63 Industrial(-40C to +85C) 재고 없음
₩70,636.8
최소: 2,100
배수: 2,100
GigaDevice GD9FU8G8E4DMGI
GigaDevice NAND 플래시 8Gbit Parallel NAND 플래시 3.3V TSOPI-48 Industrial(-40C to +85C) 재고 없음
₩69,513.6
최소: 960
배수: 960
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 비재고 리드 타임 24 주
₩111,789.6
최소: 1,900
배수: 1,900
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩73,382.4
₩67,875.6
₩65,707.2
₩64,069.2
₩61,760.4
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩120,744
최소: 136
배수: 136
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩120,868.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩77,859.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩70,777.2
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩70,777.2
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩104,660.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩78,078
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩71,011.2
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩71,011.2
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩104,910
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩83,662.8
최소: 136
배수: 136
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩96,610.8
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000