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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
701주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
2,589예상 2026-10-16
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
1,500예상 2026-09-02
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
581주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
956주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI NOR 플래시 64Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
180예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
200예상 2027-03-19
최소: 1
배수: 1

GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ 비재고 리드 타임 10 주
최소: 480
배수: 480

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Mikroe 메모리 IC 개발 툴 SQI Flash click 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

GigaDevice NOR 플래시 64Mbit NOR 플래시 /3.3V /SOP16 300mil /Industrial(-40? to +85?) /T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

GigaDevice NOR 플래시 64Mbit NOR 플래시 /3.3V /SOP8 208mil /Industrial(-40? to +85?) /Tube 재고 없음
최소: 9,500
배수: 1

GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000
GigaDevice NOR 플래시 재고 없음
최소: 4,800
배수: 4,800
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
GigaDevice NOR 플래시 재고 없음
최소: 3,000
배수: 1
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
GigaDevice NOR 플래시 재고 없음
최소: 9,500
배수: 1
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
GigaDevice NOR 플래시 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000