4 Mbit TSOP-32 반도체

반도체의 유형

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Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM 774재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


ISSI SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM 608재고 상태
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 512Kx8 8.45ns 125재고 상태
최소: 1
배수: 1


Infineon Technologies SRAM 4Mb 45ns 512K x 8 Low Power SRAM 1,214재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM 604재고 상태
최소: 1
배수: 1


Infineon Technologies SRAM 4Mb 45ns 512K x 8 Low Power SRAM 2,562재고 상태
2,340예상 2026-10-22
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM 1,103재고 상태
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 4M (512Kx8) 25ns Async SRAM 173재고 상태
최소: 1
배수: 1

Greenliant NOR 플래시 512K x 8, Many-Time Programmable (MTP) FLASH 재고 없음
최소: 2,080
배수: 2,080

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 5V 4Mbit x8 I/O TSOP-32 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1,560
배수: 156
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x8 I/O TSOP-32 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x8 I/O TSOP-32 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 4Mbit x8 I/O TSOP-32 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
Microchip Technology SST39SF040-55-4C-TU
Microchip Technology NOR 플래시 4.5V to 5.5V 4Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
Microchip Technology SST39SF040-55-4I-TU
Microchip Technology NOR 플래시 4.5V to 5.5V 4Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
Microchip Technology SST39SF040-70-4C-TU
Microchip Technology NOR 플래시 4.5V to 5.5V 4Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 14 주
최소: 468
배수: 234
Microchip Technology SST39SF040-70-4I-TU
Microchip Technology NOR 플래시 4.5V to 5.5V 4Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
Microchip Technology SST39VF040-70-4C-TU
Microchip Technology NOR 플래시 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 21 주
최소: 1
배수: 1
Microchip Technology SST39VF040-70-4I-TU
Microchip Technology NOR 플래시 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 21 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1