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Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

Alliance Memory SRAM LP SRAM, 2Mb, 128 x 16, 2.7 - 5.5V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 696
배수: 348

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 696
배수: 348

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 696
배수: 348

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 2Mb 256K x 845ns Async SRAM N/A
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 2Mb 256K x 845ns Async SRAM 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI IS62WV12816FBLL-45TLI-TR
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory AS6C2008A-55BIN
Alliance Memory SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

Alliance Memory AS6C2008A-55BINTR
Alliance Memory SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000