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Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 128K x 16, 44pin TSOP II, 10ns, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 128K x 16, 44pin TSOP II, 12ns, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 128K x 16, 44pin TSOP II, 12ns, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 128K x 16, 44pin TSOP II, 15ns, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 128K x 16, 44pin TSOP II, 15ns, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 128K x 16, 44pin TSOP II, 20ns, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 128K x 16, 44pin TSOP II, 20ns, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 234
배수: 234

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 14 주
최소: 135
배수: 135