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Renesas Electronics SRAM 128K X 18 3.3V SYNC DP RA 비재고 리드 타임 18 주
최소: 21
배수: 7

Renesas Electronics SRAM 128Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 24
배수: 6

Renesas Electronics SRAM 128Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 21
배수: 7

Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tray), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,850
배수: 570

Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 7,840
배수: 98

Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tray), Single SPI DataFlash (Micron M25PE Replacement) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,710
배수: 570

Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 7,840
배수: 98

Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 2x3 (Tape & Reel), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000


Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Ultra Wide Vcc (1.65V to 4.4V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 6,000
배수: 6,000
: 6,000

Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Ultra Wide Vcc (1.65V to 4.4V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000


Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Ultra Wide Vcc (1.65V to 4.4V), -40C to 85C, TSSOP (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 18 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000


RAMXEED F램 2Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 tube (125C) 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1


RAMXEED F램 2Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 T&R (125C) 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


RAMXEED F램 2Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - DFN8 T&R (125C) 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Greenliant NOR 플래시 2Mbit (256K x 8) Many-Time Programmable Flash C-TEMP 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Renesas Electronics SRAM 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 21
배수: 7
없음
Renesas Electronics SRAM 128Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 24
배수: 6
없음
Renesas Electronics SRAM 128Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
없음
GigaDevice GD25LD20EK6IGR
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

GigaDevice GD25LQ20EEEGR
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Microchip Technology SST39LF020-55-4C-TU
Microchip Technology NOR 플래시 3.0V to 3.6V 2Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 20 주
최소: 468
배수: 234
Microchip Technology SST39VF020-70-4C-TU
Microchip Technology NOR 플래시 2.7V to 3.6V 2Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 20 주
최소: 468
배수: 234
Microchip Technology SST39VF020-70-4I-TU
Microchip Technology NOR 플래시 2.7V to 3.6V 2Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 20 주
최소: 468
배수: 234
Microchip Technology SST39SF020A-55-4C-TU
Microchip Technology NOR 플래시 4.5V to 5.5V 2Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 19 주
최소: 468
배수: 234