결과: 362
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Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 180
배수: 180

Infineon Technologies S70GL02GT11FHB023
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

Infineon Technologies S70GL02GT11FHB010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 360
배수: 360

Infineon Technologies S70GL02GT11FHV020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 180
배수: 180

Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV23
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 360
배수: 360

Infineon Technologies S70GL02GS11FHI020
Infineon Technologies NOR 플래시 2G 3V 110ns Parallel NOR 플래시 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,090
배수: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,090
배수: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,090
배수: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,090
배수: 2,090

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500