|
|
GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
- CGHV1F006S
- MACOM
-
1:
₩140,478
-
711재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-CGHV1F006S
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
|
|
711재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
- CGHV1J070D-GP4
- MACOM
-
제한된 구매 가능 제품
|
Mouser 부품 번호
941-CGHV1J070D
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PIN 다이오드 CW=3Watts Recovery time 15ns
- MA4L021-134
- MACOM
-
100:
₩9,313.2
-
400재고 상태
|
Mouser 부품 번호
937-MA4L021-134
|
MACOM
|
PIN 다이오드 CW=3Watts Recovery time 15ns
|
|
400재고 상태
|
|
최소: 100
배수: 100
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
- CGHV1J025D-GP4
- MACOM
-
제한된 구매 가능 제품
|
Mouser 부품 번호
941-CGHV1J025D
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PIN 다이오드 50-18000MHz .04pF -55C +125C
- MADP-000402-12530P
- MACOM
-
1:
₩18,220.8
-
2,620재고 상태
|
Mouser 부품 번호
937-MADP-402-12530P
|
MACOM
|
PIN 다이오드 50-18000MHz .04pF -55C +125C
|
|
2,620재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
- TGF2023-2-02
- Qorvo
-
100:
₩92,274
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
772-TGF2023-2-02
|
Qorvo
|
GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 100
배수: 100
|
|
|
|
|
GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
- TGF2023-2-01
- Qorvo
-
50:
₩89,356.8
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
772-TGF2023-2-01
|
Qorvo
|
GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
- CGHV1J006D-GP4
- MACOM
-
200:
₩97,968
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
941-CGHV1J006D
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 200
배수: 10
|
|
|
|
|
PIN 다이오드 Diode,Pin,Chip,Oxide
MACOM MA4L011-134
- MA4L011-134
- MACOM
-
2,000:
₩8,408.4
-
비재고 리드 타임 30 주
|
Mouser 부품 번호
937-MA4L011-134
|
MACOM
|
PIN 다이오드 Diode,Pin,Chip,Oxide
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
최소: 2,000
배수: 100
|
|
|