18 GHz 반도체

결과: 15
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100재고 상태
₩92,274
최소: 100
배수: 100
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Analog Devices 프리스케일러 nGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz
38재고 상태
₩81,432
₩66,565.2
₩62,836.8
₩61,089.6
최소: 1
배수: 1
없음

MACOM PIN 다이오드 CW=3Watts Recovery time 15ns
400재고 상태
₩8,985.6
₩8,720.4
₩8,299.2
최소: 100
배수: 100
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz
518재고 상태
컷 테이프
₩67,766.4
₩56,815.2
₩53,695.2
₩50,793.6
₩49,093.2
₩49,093.2
최소: 1
배수: 1
최대: 414
: 500
MACOM PIN 다이오드 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2,620재고 상태
컷 테이프
₩18,220.8
₩13,806
₩11,512.8
₩10,249.2
₩9,594
₩9,594
최소: 1
배수: 1
: 3,000
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 725재고 상태
컷 테이프
₩140,478
₩112,710
₩102,024
₩102,024
최소: 1
배수: 1
: 250
Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz
236재고 상태
₩73,834.8
₩63,367.2
₩59,997.6
₩57,142.8
최소: 1
배수: 1
최대: 228
Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz
184재고 상태
컷 테이프
₩68,218.8
₩57,267.6
₩54,147.6
₩51,246
₩51,246
최소: 1
배수: 1
최대: 179
Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz
319재고 상태
₩68,343.6
₩55,848
₩52,728
₩51,261.6
₩50,200.8
최소: 1
배수: 1
최대: 255
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
비재고 리드 타임 16 주
₩89,356.8
₩89,060.4
최소: 50
배수: 50
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
비재고 리드 타임 26 주
₩97,968
최소: 200
배수: 10
Microchip Technology PIN 다이오드 Si Limiter Hermetic Microstrip 비재고 리드 타임 20 주
₩256,011.6
최소: 5
배수: 5
없음
MACOM MA4L011-134
MACOM PIN 다이오드 Diode,Pin,Chip,Oxide
비재고 리드 타임 30 주
₩9,952.8
₩9,375.6
₩8,408.4
최소: 100
배수: 100