18 GHz 반도체

결과: 13
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MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
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MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
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MACOM PIN 다이오드 CW=3Watts Recovery time 15ns
400재고 상태
₩8,412.9
₩8,074.7
₩7,595.6
최소: 100
배수: 100
MACOM PIN 다이오드 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2,620재고 상태
컷 테이프
₩16,459.5
₩12,471.4
₩10,399.9
₩9,258.4
₩8,666.6
릴
₩8,666.6
최소: 1
배수: 1
: 3,000
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 617재고 상태
컷 테이프
₩126,898.5
₩105,901.4
₩101,786.5
릴
₩101,786.5
최소: 1
배수: 1
: 250
Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz
171재고 상태
₩66,697.4
₩57,241.7
₩54,197.8
₩51,619
최소: 1
배수: 1
Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz
33재고 상태
₩72,855.6
₩60,130.6
₩56,762.6
₩55,184.3
최소: 1
배수: 1
없음
Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz
184재고 상태
컷 테이프
₩61,624.3
₩51,731.7
₩48,913.3
₩46,292.2
최소: 1
배수: 1
Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz
159재고 상태
₩61,737.1
₩50,449.4
₩47,631
₩46,306.3
최소: 1
배수: 1
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
200예상 2026-11-25
₩88,497.8
최소: 200
배수: 10
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
비재고 리드 타임 16 주
₩80,719
₩80,451.2
최소: 50
배수: 50
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
비재고 리드 타임 20 주
₩95,586
최소: 100
배수: 100
MACOM MA4L011-134
MACOM PIN 다이오드 Diode,Pin,Chip,Oxide
비재고 리드 타임 30 주
₩8,990.7
₩8,469.3
₩7,595.6
최소: 100
배수: 100