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결과: 135
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Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 16 주
₩52,072.8
최소: 2,090
배수: 2,090
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
₩67,048.8
최소: 2,090
배수: 2,090
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩155,781.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩28,548
최소: 190
배수: 190
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,726.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 리드 타임 52 주
₩23,119.2
₩22,120.8
₩21,715.2
₩21,122.4
₩16,785.6
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,508
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,587.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩27,534
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩45,458.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩39,577.2
₩36,675.6
₩35,536.8
₩34,663.2
₩25,084.8
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩20,810.4
최소: 242
배수: 242
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp 비재고 리드 타임 52 주
₩34,086
최소: 190
배수: 190
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩18,002.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩26,239.2
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L 비재고 리드 타임 52 주
₩33,025.2
₩31,340.4
₩30,685.2
₩30,170.4
₩27,892.8
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩83,662.8
최소: 136
배수: 136
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩96,610.8
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩77,859.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩70,777.2
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩77,859.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩71,541.6
₩66,159.6
₩64,053.6
₩62,462.4
₩46,425.6
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩39,280.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩42,416.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩71,541.6
₩66,159.6
₩64,053.6
₩62,462.4
₩42,135.6
최소: 1
배수: 1