167 MHz 반도체

반도체의 유형

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Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 210
배수: 210
없음
GSI Technology GS81284Z18B-167I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10
GSI Technology GS81284Z18B-167IV
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10
GSI Technology GS81284Z36B-167I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10
GSI Technology GS81284Z36B-167IV
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10
Infineon Technologies CY7C1370KVE33-167AXI
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 720
배수: 720

Infineon Technologies CY7C1370KVE33-167AXM
Infineon Technologies SRAM Sync SRAMs
비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies CY7C1372KVE33-167AXI
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 360
배수: 360

Infineon Technologies CY7C1387KV33-167AXC
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 720
배수: 720

Infineon Technologies CY7C1460KV33-167AXI
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 144
배수: 144

Infineon Technologies CY7C1460KV33-167AXIT
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 750
배수: 750
: 750

Infineon Technologies CY7C1460KV33-167AXC
Infineon Technologies SRAM SYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 144
배수: 144

Infineon Technologies CY7C1460KV33-167BZC
Infineon Technologies SRAM SYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 105
배수: 105
없음
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500