104 MHz 반도체

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GigaDevice GD5F2GQ5UEY2GR
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

GigaDevice GD5F4GM8REY2GY
GigaDevice NAND 플래시 재고 없음
최소: 4,800
배수: 4,800

Macronix MX25U12835FBBI-10G-TR
Macronix NOR 플래시 Serial NOR 1.8V 128Mbit x4 I/O WLCSP-23 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 16Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000


ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000


ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000


ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000


ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000


ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000


ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

ISSI NOR 플래시 2Mb QSPI, 8-pin USON 2x3MM, RoHS, T&R, Auto Grade, new die rev 비재고 리드 타임 50 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ISSI NOR 플래시 4Mb QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, T&R, new die rev 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NOR 플래시 2Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, new die rev 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1