HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

결과: 719
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
IXYS MOSFET TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
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3,503재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
데이터시트
8,843재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET
데이터시트
1,148재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
데이터시트
1,489재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
데이터시트
1,693재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
데이터시트
94재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
데이터시트
131재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET
데이터시트
99재고 상태
300예상 2026-12-29
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
데이터시트
1,303재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET
데이터시트
293재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
데이터시트
480재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC 500 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 250V 150A N-CH X3CLASS
데이터시트
238재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 150 A 9 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 154 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
데이터시트
660재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
데이터시트
239재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 137 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
데이터시트
262재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
데이터시트
468재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHT HiperFET 100v, 170A
데이터시트
1,245재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 80A
데이터시트
388재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
데이터시트
214재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 670 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
데이터시트
639재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 56 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
데이터시트
88재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 205 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 75 Amps 200V 0.018 Rds
데이터시트
245재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 36A
데이터시트
1,508재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 44A
데이터시트
300재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
데이터시트
626재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 mW Enhancement HiPerFET Tube