GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

결과: 10
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
Id - 연속 드레인 전류
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Rds On - 드레인 소스 저항
작동 주파수
이득
출력 전력
최고 작동온도
패키지/케이스
포장
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
데이터시트
90재고 상태
최소: 10
배수: 10

GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk

CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
데이터시트
100재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 100

GaAs 26 mA 173 Ohms 26 GHz 11 dB 20 dBm + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
데이터시트
100재고 상태
최소: 10
배수: 10

GaAs 250 mA to 300 mA 8 V 18 GHz 11 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Low Noise pHEMT Devices
데이터시트
100재고 상태
최소: 10
배수: 10

GaAs 175 mA 4.5 V 26 GHz 8 dB, 11 dB 20 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
데이터시트
100재고 상태
최소: 10
배수: 10

GaAs 150 mA to 190 mA 7.5 V 28 GHz 12 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
데이터시트
100재고 상태
최소: 10
배수: 10

GaAs 180 mA to 220 mA 7.5 V 26 GHz 13 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Low Noise pHEMT Devices
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,000
배수: 10
: 10

GaAs 120 mA 4 V 26 GHz 10 dB, 13 dB 16 dBm + 150 C Die Reel
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 10
배수: 10

GaAs 60 mA to 80 mA 6.5 V 28 GHz 15 dB 23 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 10
배수: 10

GaAs 220 mA 12 GHz 10 dB 26 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 10
배수: 10

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk