CoolSiC™ 자동차용 750V G1 SiC 트렌치 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G1 SiC 트렌치 MOSFET은 EV 제조업체가 효율성, 전력 밀도 및 신뢰성을 향상시킨 11kW 및 22kW 양방향 보드 내장형 충전기를 개발하는 데 기여합니다. 이 장치는 Infineon의 독자적인 기술을 적용하여 고온(Tj,max +175°C)에서도 안정적으로 작동합니다. 동일 다이 크기 기준 동급 최고 수준의 열 임피던스를 제공하는 XT 다이 부착 기술입니다.

트랜지스터의 유형

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결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 720재고 상태
₩68,796
₩44,522.4
₩41,995.2
최소: 1
배수: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 281재고 상태
₩37,377.6
₩23,322
₩21,902.4
₩21,637.2
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 226재고 상태
₩15,724.8
₩10,140
₩8,611.2
₩7,472.4
₩7,316.4
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 171재고 상태
₩11,887.2
₩7,363.2
₩5,834.4
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 288재고 상태
₩9,672
₩6,396
₩5,709.6
₩4,929.6
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
240예상 2027-04-22
₩28,048.8
₩20,763.6
₩15,444
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 리드 타임 52 주
₩35,443.2
₩24,882
₩19,734
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 리드 타임 52 주
₩17,940
₩11,918.4
₩11,060.4
₩10,327.2
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel