MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance. 

결과: 20
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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 1,038재고 상태
₩33,116.2
₩30,678.3
₩29,705.9
₩28,987.2
최소: 1
배수: 1
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 288재고 상태
₩33,877.2
₩31,382.9
₩30,382.4
₩29,649.6
최소: 1
배수: 1
BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 905재고 상태
₩32,425.7
₩30,044.1
₩29,100
₩28,381.3
최소: 1
배수: 1
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 142재고 상태
₩26,352
₩25,027.4
₩24,506
₩24,238.2
최소: 1
배수: 1
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 8재고 상태
270예상 2027-01-06
₩31,256.1
₩29,240.9
₩28,367.2
₩27,775.3
₩27,000.3
최소: 1
배수: 1
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
810주문 중
₩39,669
₩36,737.8
₩35,582.3
₩34,708.6
₩33,778.5
최소: 1
배수: 1
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩23,815.5
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩30,213.2
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
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₩25,069.7
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩24,590.5
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: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩25,323.3
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배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩23,153.2
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩26,436.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩22,293.5
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배수: 348
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩21,617.1
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩30,424.6
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩26,817.1
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
₩32,073.4
최소: 270
배수: 135
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩29,466.4
최소: 1,500
배수: 1,500
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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₩22,166.7
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel