결과: 14
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3 1,394재고 상태
컷 테이프
₩7,659.6
₩3,962.4
₩3,572.4
₩3,120
릴
₩2,808
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms 20 V 3.9 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 247재고 상태
₩24,242.4
₩18,470.4
₩14,149.2
₩13,790.4
₩12,979.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms 20 V 2.1 V 255 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 8,256재고 상태
₩21,372
₩11,918.4
₩11,341.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 70 mOhms 20 V 2.1 V 252 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
995재고 상태
컷 테이프
₩6,723.6
₩3,697.2
₩3,369.6
₩2,886
릴
₩2,714.4
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3 2,650재고 상태
컷 테이프
₩7,254
₩3,728.4
₩3,385.2
₩2,901.6
릴
₩2,730
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 1,735재고 상태
3,120예상 2026-12-03
₩9,422.4
₩4,976.4
₩4,461.6
₩4,118.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 170재고 상태
₩16,926
₩9,204
₩8,517.6
₩8,470.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 81 mOhms 20 V 2.1 V 200 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 499재고 상태
₩8,221.2
₩4,321.2
₩3,915.6
₩3,042
₩2,948.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 34.5 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3 160재고 상태
₩7,550.4
₩3,946.8
₩3,026.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 280 mOhms 20 V 3.9 V 66 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 200재고 상태
5,280주문 중
₩15,381.6
₩8,283.6
₩7,659.6
₩7,378.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 32 A 110 mOhms 20 V 2.1 V 170 nC - 55 C + 150 C 284 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 369재고 상태
₩8,486.4
₩4,430.4
₩4,024.8
₩3,853.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.7 A 160 mOhms 20 V 3.9 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 116재고 상태
₩17,050.8
₩12,043.2
₩10,046.4
₩8,938.8
₩8,346
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 100 mOhms 20 V 2.1 V 150 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 808재고 상태
₩7,254
₩3,728.4
₩3,385.2
₩2,776.8
₩2,730
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 비재고 리드 타임 11 주
₩5,335.2
₩2,667.6
₩2,418
₩1,903.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms 20 V 3.9 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube