MOSFET 모듈 – Mouser 대한민국

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

결과: 8

적용된 필터:

패키지/케이스

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

최저 작동온도

최고 작동온도

전체 재설정

결과 내에서 검색

재고 상태

재고 상태 정상

판매 중

신제품

RoHS 준수

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	패키지/케이스	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	최저 작동온도	최고 작동온도	시리즈	포장
MOSFET 모듈 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H06MT23GB2 GeneSiC Semiconductor 48: ₩467,347.1 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 G4H06MT23GB2 Mouser 부품 번호 905-G4H06MT23GB2 신제품	GeneSiC Semiconductor	MOSFET 모듈 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기		비재고 리드 타임 26 주	₩467,347.1	최소: 48 배수: 48		2.3 kV	296 A				N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET 모듈 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H06MT23GB2-T GeneSiC Semiconductor 48: ₩478,620.7 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 G4H06MT23GB2-T Mouser 부품 번호 905-G4H06MT23GB2-T 신제품	GeneSiC Semiconductor	MOSFET 모듈 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기		비재고 리드 타임 26 주	₩478,620.7	최소: 48 배수: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET 모듈 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H08MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: ₩677,656.1 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 G4H08MT23GB4 Mouser 부품 번호 905-G4H08MT23GB4 신제품	GeneSiC Semiconductor	MOSFET 모듈 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	₩677,656.1	최소: 48 배수: 48	SiCPAK G+	2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET 모듈 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H08MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: ₩688,929.7 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 G4H08MT23GB4-T Mouser 부품 번호 905-G4H08MT23GB4-T 신제품	GeneSiC Semiconductor	MOSFET 모듈 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	₩688,929.7	최소: 48 배수: 48		2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET 모듈 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4 G4H11MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: ₩471,405.6 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 G4H11MT23GB4 Mouser 부품 번호 905-G4H11MT23GB4 신제품	GeneSiC Semiconductor	MOSFET 모듈 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기		비재고 리드 타임 26 주	₩471,405.6	최소: 48 배수: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET 모듈 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T G4H11MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: ₩482,679.2 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 G4H11MT23GB4-T Mouser 부품 번호 905-G4H11MT23GB4-T 신제품	GeneSiC Semiconductor	MOSFET 모듈 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기		비재고 리드 타임 26 주	₩482,679.2	최소: 48 배수: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET 모듈 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4 G4H22MT33GB4 GeneSiC Semiconductor 48: ₩654,742.5 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 G4H22MT33GB4 Mouser 부품 번호 905-G4H22MT33GB4 신제품	GeneSiC Semiconductor	MOSFET 모듈 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기		비재고 리드 타임 26 주	₩654,742.5	최소: 48 배수: 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET 모듈 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T G4H22MT33GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: ₩666,016.1 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 G4H22MT33GB4-T Mouser 부품 번호 905-G4H22MT33GB4-T 신제품	GeneSiC Semiconductor	MOSFET 모듈 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기		비재고 리드 타임 26 주	₩666,016.1	최소: 48 배수: 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

적용된 필터:

고객 서비스 센터

회사

참고 자료

지원

이 항목 공유

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

적용된 필터: