AEC-Q101 공인 STripFET 전력 MOSFET

STMicroelectronics AEC-Q101 공인 STripFET 전력 MOSFET는 ST의 독점적인 트렌치 기반 저전압 기술을 활용하여 전도 손실을 극도로 낮춥니다. 이 전력 MOSFET는 전기 드라이브에서 일반적으로 손실되는 에너지를 최소화하여 효율성을 높이므로 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 3~12.5mΩ 범위의 RDS(on)을 갖는 산업 표준 TO-252 및 TO-263 SMD 패키지로 제공되는 이 소장치는 대부분의 저전압 자동차 애플리케이션에서 우수한 성능을 발휘합니다. 이 제품군에는 표준 및 로직 레벨 임계값이 모두 포함됩니다.

결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
데이터시트
2,921재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
데이터시트
1,257재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms 20 V 4 V 65 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep
데이터시트
370재고 상태
5,000예상 2026-09-28
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.6 mOhms 20 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel