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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 6130 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

863-NTMFWS1D5N08XT1G

제조업체 번호:

NTMFWS1D5N08XT1G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

데이터시트:

NTMFWS1D5N08XT1G 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SO8FL-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	253 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.43 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.6 V
Qg - 게이트 전하:	83 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	194 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	9 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	176 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	9 ns
시리즈:	NTMFWS1D5N08X
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	43 ns
표준 턴-온 지연 시간:	24 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NTMFWS1D5N08XT1G 데이터시트 (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

규정 준수 코드

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 일본
어셈블리 원산지:: 말레이시아
COD(확산 공정 국가):: 일본

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

PowerTrench 기술

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

클라우드 전력 관리 솔루션

onsemi 클라우드 전력 관리 솔루션은 인프라에 필수적인 컴퓨팅과 연결성을 제공합니다. onsemi 클라우드 전력 관리 솔루션의 전력은 프로세서, 메모리 뱅크, 무선 기지국에 필수적입니다. 시스템 운영이 점차 클라우드로 전환됨에 따라 효율성과 신뢰성의 중요성이 커지고 있습니다. 특히 AI 서버는 최적의 성능과 효율성을 보장하기 위해 신뢰할 수 있는 전원 공급원이 필요하므로 이와 같은 솔루션은 AI 기반 운영의 무결성과 기능을 유지하는 데 필수적입니다. onsemi는 클라우드 인프라의 다양한 전력 요구 사항을 지원하기 위해 AC-DC 변환, 다상 변환, PoL 공급 및 핫스왑 보호를 위한 다양한 솔루션을 제공합니다. 최첨단 기술, 신뢰할 수 있는 성능, 응용분야의 전문성에 바탕을 둔 onsemi는 기지국, 서버 또는 데이터 센터에 관계없이 오늘날 환경에서 데이터에 전력을 공급하는 이상적인 파트너입니다.

NTMFWS1D5N08X 단일 N-채널 MOSFET

onsemi NTMFWS1D5N08X 단일 N-채널 MOSFET은 낮은 Q_RR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 통합하여 스위칭 손실을 줄입니다. NTMFWS1D5N08X 장치는 전도 손실을 최소화하기 위한 낮은 R_DS(on)을 제공하여 효율적인 작동을 보장합니다. 또한, 낮은 Q_G 및 정전용량은 드라이버 손실을 최소화하는 데 기여합니다. onsemi NTMFWS1D5N08X 단일 N-채널 MOSFET는 무연, 무할로겐, 무BFR이며 RoHS를 준수합니다.

에너지 저장 솔루션

onsemi 에너지 저장 시스템(ESS)은 석탄, 원자력, 풍력, 태양광 등 다양한 발전원에서 생산된 전기를 배터리(전기화학), 압축 공기(기계), 용융 염(열) 등 다양한 형태로 저장합니다. 이 솔루션은 태양광 인버터 시스템에 연결된 배터리 에너지 저장 시스템에 중점을 둡니다.

주요 제품

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N 채널 전력 MOSFET

저 온 저항 및 소프트 복구 보디 다이오드가 있는 80V 자동차용 MOSFET입니다.

NVMTS1D1N08X N 채널 전력 MOSFET 에 대해

80V 단일 N채널 전력 MOSFET

전도 손실을 최소화하기 위해 낮은 R_DS(on)값을 제공하고, 드라이버 손실을 최소화하기 위해 낮은 QG 및 정전 용량을 제공합니다.

80V 단일 N채널 전력 MOSFET 에 대해

NVNJWS1K6N061L N채널 MOSFET

낮은 RDS_(on)및 낮은 게이트 임계값을 특징으로 하며 ESD 보호 기능이 통합되어 있습니다.

NVNJWS1K6N061L N채널 MOSFET 에 대해

NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET

고전압 작동에 최적화되어 있으며 빠른 스위칭과 고전류 스트레스를 견딜 수 있습니다.

NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET 에 대해

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

고속 스위칭 애플리케이션을 위해 낮은 Rg로 설계된 이중 N-채널 MOSFET.

NTMFD0D9N02P1E MOSFET 에 대해

구매 가능 정보

재고:: 0

이 제품을 이월 주문으로 여전히 구매하실 수 있습니다.

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
주문 중:: 615

예상 2027-01-22

10,500

예상 2027-11-15
공장 리드 타임:: 39

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

이 제품은 리드 타임이 깁니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩6,130	₩6,130
	₩4,016.2	₩40,162
	₩2,987.5	₩298,750
	₩2,508.4	₩1,254,200
	₩2,325.2	₩2,325,200
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩2,325.2	₩3,487,800

NTMFWS1D5N08XT1G

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제조업체: onsemi

설명: MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

사양

설명서 (4)

데이터시트

PCN

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추가 정보

PowerTrench 기술

클라우드 전력 관리 솔루션

NTMFWS1D5N08X 단일 N-채널 MOSFET

에너지 저장 솔루션

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MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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