Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.

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CEL RF 증폭기 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 3,210재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 140재고 상태
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,660재고 상태
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,202재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 15,000

CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 5,239재고 상태
10,000예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1
: 10,000

CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 7,585재고 상태
15,000예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1
: 15,000

CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 5,674재고 상태
10,000예상 2026-08-05
최소: 1
배수: 1
: 10,000

CEL RF 증폭기 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 239재고 상태
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 924재고 상태
4,000예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 84재고 상태
3,000예상 2027-02-03
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 비재고 리드 타임 20 주
최소: 15,000
배수: 15,000
: 15,000