SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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650 SiC(탄화규소) MOSFET

STMicroelectronics 650 SiC(Silicon-Carbide) MOSFET는 우수한 스위칭 성능과 함께 면적 당 매우 낮은 온 상태 저항(R_DS(on))을 제공합니다. 이는 보다 효율적이고 콤팩트한 시스템으로 해석됩니다.실리콘 MOSFET에 비해, SiC MOSFET는 고온에서도 면적 당 낮은 온 상태 저항을 제공합니다. SiC MOSFET는 또한 모든 온도 범위에서 동급 최고의 IGBT에 비해 뛰어난 스위칭 성능을 제공합니다. 이는 전력 전자 시스템의 열 설계를 간소화합니다.

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결과: 10

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

자격

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이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	자격
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: ₩21,231.6 466재고 상태 1,000주문 중	제조업체 부품 번호 SCT027H65G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	466재고 상태 1,000주문 중	컷 테이프 ₩21,231.6 ₩12,074.4 ₩12,043.2 릴 ₩11,388	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: ₩17,612.4 457재고 상태	제조업체 부품 번호 SCT040W65G3-4 Mouser 부품 번호 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	457재고 상태	₩17,612.4 ₩9,625.2 ₩8,814	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩20,716.8 429재고 상태	제조업체 부품 번호 SCT040W65G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	429재고 상태	₩20,716.8 ₩15,428.4 ₩12,870 ₩11,466 ₩10,701.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: ₩15,678 1,394재고 상태	제조업체 부품 번호 SCT055TO65G3 Mouser 부품 번호 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,394재고 상태	컷 테이프 ₩15,678 ₩10,701.6 ₩8,829.6 ₩7,862.4 ₩7,363.2 릴 ₩7,363.2	최소: 1 배수: 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: ₩20,529.6 531재고 상태 1,000예상 2027-05-28	제조업체 부품 번호 SCT040H65G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	531재고 상태 1,000예상 2027-05-28	컷 테이프 ₩20,529.6 ₩15,303.6 ₩12,745.2 ₩11,356.8 릴 ₩10,623.6 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: ₩25,677.6 6재고 상태 1,000예상 2027-09-03	제조업체 부품 번호 SCT018H65G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	6재고 상태 1,000예상 2027-09-03	컷 테이프 ₩25,677.6 ₩15,397.2 릴 ₩14,383.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: ₩17,503.2 8재고 상태 1,800예상 2027-06-10	제조업체 부품 번호 SCT040TO65G3 Mouser 부품 번호 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	8재고 상태 1,800예상 2027-06-10	컷 테이프 ₩17,503.2 ₩12,370.8 ₩10,296 ₩9,188.4 ₩8,580 릴 ₩8,580	최소: 1 배수: 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩29,140.8 600주문 중	제조업체 부품 번호 SCT018W65G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	데이터시트	600주문 중	₩29,140.8 ₩22,198.8 ₩18,501.6 ₩15,397.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩18,314.4 600예상 2027-08-13	제조업체 부품 번호 SCT055W65G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	600예상 2027-08-13	₩18,314.4 ₩13,244.4 ₩11,044.8 ₩9,843.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3-7 STMicroelectronics 1: ₩24,585.6 비재고 리드 타임 25 주 신제품	제조업체 부품 번호 SCT018H65G3-7 Mouser 부품 번호 511-SCT018H65G3-7 신제품	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 25 주	컷 테이프 ₩24,585.6 ₩14,570.4 릴 ₩13,790.4	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 10 V, 22 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement

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