750V N-채널 SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N-채널 SiC MOSFET은 스위칭 주파수를 높여 커패시터, 리액터 및 기타 필요한 구성 요소의 부피를 줄일 수 있습니다. 이러한 SiC MOSFET은 TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, TO-247-4L 패키지로 제공됩니다. 이 디바이스는 정적 드레인-소스 온 저항 [RDS(on)] (typ.)이 13mΩ ~ 65mΩ이며, 연속 드레인(ID) 및 소스 전류 (IS) (TC=25°C)는 22A ~ 120A입니다. 이러한 ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET은 SiC 기술의 고유한 특성을 활용하여 높은 내전압, 낮은 온 상태 저항 및 고속 스위칭 특성을 제공합니다.

결과: 23
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC 623재고 상태
₩29,057.7
₩17,713.6
₩17,572.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC 437재고 상태
₩46,433.1
₩36,019.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC 641재고 상태
₩38,006.1
₩30,016
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 1,994재고 상태
컷 테이프
₩25,450.2
₩15,684.4
₩15,458.9
₩15,120.7
릴
₩14,641.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 1,946재고 상태
컷 테이프
₩17,319.1
₩9,808
₩9,582.6
₩9,328.9
릴
₩8,962.5
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 311재고 상태
₩19,306
₩11,442.7
₩11,062.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC 279재고 상태
1,000예상 2026-11-11
컷 테이프
₩44,742.1
₩32,143.9
₩31,862
릴
₩30,016
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 120A SIC 900재고 상태
컷 테이프
₩49,378.4
₩36,371.5
₩36,357.4
₩34,722.7
₩34,440.8
릴
₩34,440.8
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 C 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 46A SIC 1,990재고 상태
컷 테이프
₩23,801.4
₩14,387.9
₩13,612.9
릴
₩13,612.9
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 C 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 37A SIC 1,941재고 상태
컷 테이프
₩20,799.8
₩12,076.8
₩11,428.6
릴
₩11,428.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 C 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 80A SIC 490재고 상태
컷 테이프
₩35,920.5
₩24,351
₩24,252.3
₩23,054.5
릴
₩23,054.5
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 C 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 439재고 상태
₩20,165.7
₩11,301.8
₩10,836.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 410재고 상태
₩17,755.9
₩9,808
₩9,188
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive 1,000재고 상태
컷 테이프
₩17,643.2
₩9,949
₩9,751.7
릴
₩9,103.4
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 450재고 상태
₩15,106.6
₩8,201.5
₩7,581.5
₩7,426.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 26A SIC 970재고 상태
컷 테이프
₩17,262.7
₩9,709.4
₩9,483.9
₩8,962.5
릴
₩8,962.5
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 440재고 상태
₩12,964.6
₩7,229.2
₩6,524.6
₩6,383.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 45mO, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 1,000재고 상태
컷 테이프
₩12,880.1
₩7,046
₩6,482.3
₩6,454.1
릴
₩6,031.4
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 1,439재고 상태
컷 테이프
₩27,662.6
₩21,081.6
₩17,220.4
₩15,656.2
릴
₩14,613.4
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 61A SIC 92재고 상태
컷 테이프
₩28,761.8
₩18,347.8
₩18,263.2
₩17,361.3
릴
₩17,361.3
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 C 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 428재고 상태
₩20,968.9
₩12,133.2
₩11,217.2
₩10,752.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC 63재고 상태
500주문 중
₩27,183.5
₩17,572.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 23재고 상태
1,000주문 중
컷 테이프
₩17,544.5
₩9,977.1
₩9,681.2
₩9,131.6
릴
₩8,525.7
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement