IMZA65R083M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R083M1HXKS
IMZA65R083M1HXKSA1

제조업체:

설명:
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

라이프사이클:
NRND:
새로운 디자인에 권장되지 않습니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
26 A
111 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement
브랜드: Infineon Technologies
포장: Tube
제품 유형: SiC MOSFETS
팩토리 팩 수량: 240
하위 범주: Transistors
트랜지스터 극성: N-Channel
부품번호 별칭: IMZA65R083M1H SP005423798
제품을 찾음:
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데이터시트

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규정 준수 코드
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
오스트리아
어셈블리 원산지:
중국
COD(확산 공정 국가):
오스트리아
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

CoolSiC™ MOSFET 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V 탄화 규소의 물리적 강도와 장치 성능, 신뢰성, 사용 편의성을 증폭하는 기능을 결합한 제품입니다. CoolSiC™ MOSFET은 최신 트렌치 반도체 공정을 통해 애플리케이션에서 가장 낮은 손실과 가장 높은 작동 안정성을 제공합니다. CoolSiC는 고온 및 열악한 환경 애플리케이션에 사용하기에 완벽합니다.

650V CoolSiC™ M1 트렌치 전력 MOSFET

Infineon Technologies  650V CoolSiC™ M1 트렌치 전력 MOSFET은 탄화규소의 강력한 물리적 특성과 장치의 성능, 견고성 및 사용 편의성을 높여주는 고유한 기능을 결합한 제품입니다. CoolSiC M1 MOSFET은 가장 낮은 애플리케이션 손실과 최고의   작동 신뢰성을 제공하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 프로세스를 기반으로 제작됩니다. 고온 및 혹독한 환경에서의 작동에 적합한 이 장치를 사용하면 최고 효율의 시스템을 간소화되고 비용 효율적인 방법으로 배포할 수 있습니다. 

구매 가능 정보

재고:
재고 없음
공장 리드 타임:
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이 제품은 리드 타임이 깁니다.
최소: 240   배수: 240
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