650V CoolSiC™ M1 트렌치 전력 MOSFET

Infineon Technologies  650V CoolSiC™ M1 트렌치 전력 MOSFET은 탄화규소의 강력한 물리적 특성과 장치의 성능, 견고성 및 사용 편의성을 높여주는 고유한 기능을 결합한 제품입니다. CoolSiC M1 MOSFET은 가장 낮은 애플리케이션 손실과 최고의   작동 신뢰성을 제공하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 프로세스를 기반으로 제작됩니다. 고온 및 혹독한 환경에서의 작동에 적합한 이 장치를 사용하면 최고 효율의 시스템을 간소화되고 비용 효율적인 방법으로 배포할 수 있습니다. 

결과: 25
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,995재고 상태
컷 테이프
₩13,246.5
₩7,708.3
₩7,116.5
₩6,665.5
릴
₩6,341.4
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 335재고 상태
₩13,105.6
₩9,188
₩8,610.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 143재고 상태
컷 테이프
₩25,675.6
₩15,853.5
₩15,416.6
릴
₩15,008
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,000재고 상태
컷 테이프
₩8,779.3
₩4,636.3
₩3,424.4
₩3,410.3
릴
₩3,410.3
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 753재고 상태
컷 테이프
₩9,498
₩5,566.3
₩5,073.1
₩4,777.2
릴
₩4,579.9
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,019재고 상태
컷 테이프
₩14,289.3
₩7,905.6
₩7,412.4
₩7,299.7
릴
₩7,017.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 861재고 상태
컷 테이프
₩10,470.4
₩6,581
₩6,031.4
₩5,679.1
릴
₩5,622.7
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,701재고 상태
₩20,602.5
₩12,386.9
₩12,231.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 339재고 상태
₩15,163
₩8,243.8
₩7,623.8
₩7,567.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 298재고 상태
₩14,669.8
₩8,441.1
₩7,821.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 654재고 상태
컷 테이프
₩7,201
₩3,734.4
₩3,396.2
₩2,973.4
릴
₩2,804.3
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 314재고 상태
₩11,217.2
₩6,440
₩5,989.1
₩5,763.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 463재고 상태
₩10,667.6
₩5,594.5
₩5,143.6
₩4,749
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 128재고 상태
₩13,176
₩7,567.4
₩6,750.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 14재고 상태
720예상 2026-11-30
₩10,399.9
₩6,581
₩6,172.3
₩5,650.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 17재고 상태
3,600주문 중
₩22,420.4
₩12,696.9
₩12,584.2
₩12,570.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 175재고 상태
₩20,743.4
₩11,654.1
₩11,386.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,301.3
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,680.7
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩5,467.7
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 리드 타임 52 주
₩20,419.3
₩11,456.8
₩11,019.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
₩16,473.5
₩9,033
₩8,370.6
₩8,328.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
₩14,218.8
₩8,722.9
₩7,243.3
₩6,637.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
₩12,344.6
₩7,257.4
₩6,017.3
₩5,989.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
₩6,397.8
₩5,594.5
최소: 240
배수: 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement