STGAP2SiCD 갈바닉 절연 듀얼 게이트 드라이버

STMicroelectronics STGAP2SiCD 갈바닉 절연 4A 듀얼 게이트 드라이버는 각 게이트 구동 채널과 저전압 제어 및 인터페이스 회로 사이의 갈바닉 절연을 위해 설계되었습니다. STGAP2SiCD 게이트 드라이버는 4A 전류 용량과 레일-투-레일 출력으로 정의되며 전력 변환 및 산업용 모터 드라이버 인버터와 같은 중간 및 고전력 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 시리즈
장착 스타일
패키지/케이스
절연 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
전파 지연 - 최대
상승 시간
하강 시간
출력 전류
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
포장
STMicroelectronics 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
데이터시트
1,472재고 상태
최소: 1
배수: 1

STGAP2SICS SMD/SMT SO-8W 5 kV - 40 C + 125 C 90 ns 30 ns 30 ns 4 A 5.5 V 3 V Tube
STMicroelectronics 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
데이터시트
1,654재고 상태
최소: 1
배수: 1

STGAP2SICS SMD/SMT SO-8W 5 kV - 40 C + 125 C 90 ns 30 ns 30 ns 4 A 5.5 V 3 V Tube
STMicroelectronics 갈바닉 절연 게이트 드라이버 Galvanically isolated 4 A dual gate driver
데이터시트
774재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT SO-36W 5 kV - 40 C + 150 C 90 ns 30 ns 30 ns 4 A 5.5 V 3.1 V Reel, Cut Tape, MouseReel