150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs are designed with high-speed switching and operate from 4A to 125A continuous drain current. These enhancement-mode MOSFETs are non-automotive devices that operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. The 150V N-channel MOSFETs are 100% avalanche tested and 100% Rg tested. These N-channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management Systems (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

결과: 6
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
데이터시트
1,893재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Tube
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
데이터시트
2,490재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 9 A 54 mOhms 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 10.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 35 mOhms 20 V 4 V 52 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si Reel
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 90 mOhms 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 4 A 85 mOhms 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel