SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFET은 높은 스위칭 주파수가 가능하고 및 인덕터, 커패시터, 필터 및 트랜스포머 구성요소 크기를 줄입니다. SiC C3M MOSFET은 시스템 효율성 높으며 쿨링 요건이 낮습니다. MOSFET은 또한 전력 밀도 및 시스템 스위칭 주파수를 증가시킵니다.
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결과: 10
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial 2,442재고 상태
컷 테이프
₩8,356.6
₩4,720.8
₩4,086.7
₩3,396.2
릴
₩3,100.2
₩2,578.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3, Industrial 1,320재고 상태
900예상 2026-12-07
₩8,582
₩5,171.8
₩4,072.6
₩3,424.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3PF, Industrial 261재고 상태
₩7,553.3
₩3,833
₩3,480.7
₩2,945.2
₩2,804.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-3PF-3 1 Channel 1700 V 4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET 620재고 상태
₩20,687.1
₩11,851.4
₩11,005.9
₩10,907.2
₩9,723.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
2,640예상 2026-11-20
₩27,127.1
₩15,895.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-3, Industrial
860주문 중
₩54,056.9
₩33,595.3
₩33,271.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 222 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4 Plus, Industrial
450예상 2026-11-13
₩54,056.9
₩33,595.3
₩33,271.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
449예상 2027-01-08
₩19,982.5
₩11,189
₩11,175
₩10,709.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4, Industrial
450예상 2026-12-28
₩56,494.8
₩46,109
₩40,725.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 mO, 650V, TO-247-4, Industrial
819예상 2026-12-11
₩13,542.4
₩7,299.7
₩6,721.9
₩6,468.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement