SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFET은 높은 스위칭 주파수가 가능하고 및 인덕터, 커패시터, 필터 및 트랜스포머 구성요소 크기를 줄입니다. SiC C3M MOSFET은 시스템 효율성 높으며 쿨링 요건이 낮습니다. MOSFET은 또한 전력 밀도 및 시스템 스위칭 주파수를 증가시킵니다.
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결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
데이터시트
430재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
데이터시트
1,595주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
데이터시트
760예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 m, 650V, TO-247-4, Industrial
데이터시트
300예상 2026-10-02
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement