EasyDUAL™ 1B IGBT 모듈

CoolSiC™MOSFET가 있는 Infineon Technologies EasyDUAL ™ 1B IGBT 모듈은 매우 낮은 부유 인덕턴스와 탁월한 효율성을 제공하여 더 높은 주파수, 증가된 전력 밀도 및 감소된 냉각 요구 사항을 가능하게 합니다. 이 1200V, 8mΩ 하프 브리지 모듈은 통합 NTC 온도 센서 및 PressFIT 접점 기술을 갖추고 있습니다. 열 인터페이스 소재는 xHP_B11 변종에서 사용이 가능합니다. 이 장치는 0V~5V 및 +15V~+18V의 권장 게이트 드라이브 전압 범위, +23V 또는 -10V의 최대 게이트 소스 전압, 17mΩ 또는 33mΩ 의 드레인-소스 온 저항 옵션을 특징으로 합니다. 통합 장착 클램프는 견고한 장착 보장 기능을 제공합니다.

결과: 8
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 타입
기술
시리즈
포장
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 EASY
데이터시트
48재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
데이터시트
35재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
데이터시트
275재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
데이터시트
4재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
데이터시트
19재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 디스크리트 반도체 모듈 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 33 주
최소: 1
배수: 1

Half Bridge Si M1H Tray