고속 IGBT4 전력 모듈

Microchip Technology 고속 IGBT4 전력 모듈은 낮은 전압 강하, 낮은 누설 전류, 낮은 스위칭 손실이 특징입니다. 이 모듈은 1,200V VCES(컬렉터-이미터 전압)에서 작동하고 매우 낮은 표류 인덕턴스, 간편한 구동을 위한 켈빈 이미터/소스 및 확장된 온도 범위를 제공합니다. IGBT4 모듈의 장점은 고효율 변환기이며 고주파 작동, 로우 프로파일 및 낮은 접합-히트싱크 열 저항에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 이 모듈은 고신뢰성 전원 시스템, AC 스위치, 고효율 AC/DC 및 DC/AC 변환기, 모터 제어와 같은 애플리케이션에 사용됩니다.

결과: 7
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
게이트-이미터 누설 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-SBD-BL3
데이터시트
4재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-SBD-BL3
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-SBD-BL1
데이터시트
4재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-SBD-BL1
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-SBD-BL2
데이터시트
7재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-SBD-BL2
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-SBD-BL2
데이터시트
3예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C