RD3S100AAFRATL

ROHM Semiconductor
755-RD3S100AAFRATL
RD3S100AAFRATL

제조업체:

설명:
MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

데이터시트:
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기
추가 정보
ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL에 대해 자세히 알아보십시오.

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
190 V
10 A
182 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
브랜드: ROHM Semiconductor
구성: Single
하강 시간: 75 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 6 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 20 ns
시리즈: RD3
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 140 ns
표준 턴-온 지연 시간: 15 ns
부품번호 별칭: RD3S100AAFRA
단위 중량: 330 mg
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0 

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

데이터시트

Specification Sheets

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

규정 준수 코드
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
태국
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
불가능
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

RD3x 오토모티브 N-채널 파워 MOSFET

ROHM Semiconductor RD3x 오토모티브 N채널 전력 MOSFET은 광범위한 전력 및 신호 애플리케이션에 사용하도록 설계된 고성능 스위칭 및 정류기 장치입니다. AEC-Q101 인증을 획득한 로옴 RD3x 시리즈는 낮은 순방향 전압, 빠른 리커버리 타임, 높은 서지 전류 내성을 특징으로 하여, 소형 전자 시스템에서 고효율 전력 변환과 보호 회로에 최적화된 MOSFET입니다. 자동차, 산업 및 소비자 가전 제품에 적합한 옵션을 갖춘 RD3 제품군은 DC-DC 컨버터, 모터 드라이버, LED 조명 및 배터리 구동 장치와 같은 애플리케이션을 지원합니다. 소형 표면 실장(TO-252-3) 패키지와 낮은 누설 전류는 공간 절약 및 에너지 효율적인 설계에 기여하며, 높은 신뢰성은 까다로운 조건에서도 안정적인 성능을 보장합니다.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

오토모티브 솔루션

ROHM 오토모티브 솔루션은 고품질 제품의 안정적이고 장기적인 공급을 통해 자동차 부문의 지속적인 발전에 기여하고 있습니다. 업계 최대 규모의 광범위한 라인업은 향상된 전기화 및 연결성으로의 전환을 지원합니다. 안전성, 편안함, 생태계에 초점을 맞춘 ROHM은 고객의 다양한 요구를 충족하는 최적의 솔루션을 제공합니다.

RD3S100AAFRA N-채널 190V 10A 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N-채널 190V 10A 전력 MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 빠른 스위칭 속도가 특징입니다. RD3S100AAFRA MOSFET은 병렬 사용을 위해 쉽게 설정할 수 있습니다. ROHM RD3S100AAFRA 전력 MOSFET은 스위칭 전원 공급 장치 애플리케이션용으로 설계되었습니다.

N-채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor의 N-채널 SiC(탄화 규소) 전력 MOSFET은 스위칭 중 잔여 전류가 없어서 작동 시간은 빨라지고 스위칭 손실은 감소했습니다. 또한 낮은 온 상태 저항이 전력 손실을 최소화하고 에너지를 절약합니다.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100VDSS to 100VDSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and RDS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

재고 상태: 2,284

재고:
2,284 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
16 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩6,084 ₩6,084
₩3,978 ₩39,780
₩2,792.4 ₩279,240
₩2,464.8 ₩1,232,400
₩2,293.2 ₩2,293,200
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩2,152.8 ₩5,382,000

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.