LMG341xR050 GaN 전력단

설계자는 드라이버 및 보호 기능이 통합된 Texas Instruments LMG341xR050 GaN 전력단을 통해 전력 전자 시스템에서 새로운 수준의 전력 밀도 및 효율성을 달성할 수 있습니다. 실리콘 MOSFET 대비 LMG341x의 고유한 장점으로는 초저 입력 및 출력 정전용량, 스위칭 손실을 80%까지 줄이기 위한 제로 역 회복, EMI를 줄이기 위한 스위치 노드 공명을 들 수 있습니다. 이러한 이점 덕분에 토템 폴 PFC와 같은 고밀도 및 효율적인 토폴로지가 가능합니다.

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Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
데이터시트
37재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 250

Texas Instruments 파워 스위치 IC - 파워 분배 600-V 50-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3410R050RWHR
데이터시트
220재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 250

Texas Instruments 파워 스위치 IC - 파워 분배 600-V 50-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3410R050RWHT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000