GaN FET – Mouser 대한민국

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700V CoolGaN™ G4 전력 트랜지스터

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4 전력 트랜지스터는 고전류, 고전압 고장 및 높은 스위칭 주파수를 허용하는 특성을 가진 강화 모드 GaN-on-Si 전력 트랜지스터입니다. GaN System은 고전류 다이와 높은 수율을 실현하는 특허받은 아일랜드 기술^® 셀 레이아웃과 같은 업계 최고의 발전으로 혁신합니다. 이러한 700V CoolGaN 전력 트랜지스터는 전력 스위칭에서 초전력 밀도 설계와 높은 시스템 효율을 가능하게 합니다. GS-065 전력 트랜지스터는 하단 냉각 PDFN 패키지로 제공됩니다. 이 전력 트랜지스터는 접합-케이스 열 저항이 매우 낮으므로 까다로운 고전력 애플리케이션에 이상적입니다. 데이터 센터 및 컴퓨팅 솔루션, 전원 어댑터, LED 조명 드라이버, 스위칭 모드 전원 장치, 무선 전력 전송, 모터 드라이브 등이 여기에 해당합니다.

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결과: 7

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Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

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부품 번호

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-030-6-LL-MR
Infineon Technologies
1: ₩15,303.6
234재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-030-6-LL-MR

Mouser 부품 번호
499-GS-065-030-LL-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

234재고 상태

컷 테이프

₩15,303.6

₩11,029.2

₩8,642.4

릴

₩8,642.4

₩7,815.6

₩7,316.4

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

TOLL-11

N-Channel

1 Channel

700 V

40 A

58 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-014-6-L-MR
Infineon Technologies
1: ₩9,079.2
88재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-014-6-L-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065-014-6-L-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

88재고 상태

컷 테이프

₩9,079.2

₩6,084

₩4,321.2

릴

₩4,321.2

₩4,305.6

보기

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-6

N-Channel

1 Channel

700 V

15.2 A

138 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-004-6-L-MR
Infineon Technologies
1: ₩5,678.4
761재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-004-6-L-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065-004-6-L-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

761재고 상태

컷 테이프

₩5,678.4

₩3,541.2

₩2,293.2

릴

₩2,293.2

₩1,996.8

보기

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-6

N-Channel

1 Channel

700 V

4.6 A

455 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

800 pC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-011-6-L-MR
Infineon Technologies
1: ₩8,626.8
165재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-011-6-L-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065-011-6-L-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

165재고 상태

컷 테이프

₩8,626.8

₩6,193.2

₩4,149.6

릴

₩4,149.6

₩3,447.6

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-6

N-Channel

1 Channel

700 V

12.2 A

180 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-014-6-LR-MR
Infineon Technologies
1: ₩9,219.6
55재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-014-6-LR-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065014-6-LR-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

55재고 상태

컷 테이프

₩9,219.6

₩6,177.6

₩4,414.8

릴

₩4,414.8

₩4,399.2

보기

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

700 V

15.2 A

138 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-018-6-LR-MR
Infineon Technologies
1: ₩12,870
83재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-018-6-LR-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065018-6-LR-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

83재고 상태

컷 테이프

₩12,870

₩8,283.6

₩6,130.8

릴

₩6,130.8

₩5,491.2

보기

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

700 V

23 A

90 mOhms

- 10 V, + 7 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-011-6-LR-MR
Infineon Technologies
1: ₩8,860.8
비재고 리드 타임 18 주
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-011-6-LR-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065011-6-LR-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 18 주

컷 테이프

₩8,860.8

₩6,848.4

₩3,931.2

릴

₩3,931.2

₩3,478.8

보기

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

700 V

12.2 A

180 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

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