SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFET은 충전 균형 기술의 고전압(TJ = 150ºC에서 700V) 초접합(SJ) MOSFET입니다. 이 기술은 낮은 온저항(59mΩ 또는 62mΩ RDS(on), 일반) 및 낮은 게이트 전하(78nC Qg 일반)로 우수한 성능을 제공합니다. SuperFET III MOSFET은 전도 손실을 최소화하도록 설계되었으며 탁월한 스위칭 성능, 및 드레인 소스 전압(dv/dt)의 극한 상승율에 대한 내성을 제공합니다. Fairchild SuperFET III은 소형화 및 고효율성을 위한 다양한 전력 시스템에 매우 적합합니다.

결과: 127
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG 3,478재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 30
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M 5,720재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm 4,457재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET FAST 650V TO220 3,630재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 96 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F 11,905재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm 11,428재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 9,611재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET FRFET 650V 75A 27.4mOhm 1,256재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 27.4 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 225 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 650V 50MOHM 1,907재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET 650V FRFET,150M 2,130재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG 1,372재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 260MOHM TO252 2,641재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm 801재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 154 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO 851재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 90MOHM PQFN88 2,998재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220 875재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220F 660재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG 1,110재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG 846재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 159 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 144 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm 1,596재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO263 796재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 62 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III 776재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 150MOHM PQFN88 2,729재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 23 mOhm 885재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm 2,474재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel