IX4 초접합 전력 MOSFET

IXYS IX4 초접합 전력 MOSFET은 200V 드레인 소스 항복 전압을 제공하는 애벌랜치 등급의 N 채널 강화 모드 MOSFET입니다. IXYS IX4 초접합 전력 MOSFET은 TO-220(IXTP) 또는 TO-263(IXTA) 패키지로 제공되고 86A 또는 94A 연속 드레인 전류를 제공합니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS 2,004재고 상태
₩22,392.2
₩12,936.5
₩12,598.2
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS 719재고 상태
₩24,646.9
₩16,614.5
₩13,951.1
₩13,641.1
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET 1,147재고 상태
₩18,460.5
₩10,244.9
₩10,230.8
₩10,132.1
₩9,808
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET 503재고 상태
₩15,909.9
₩8,878
₩8,187.5
₩8,074.7
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
620예상 2027-06-07
₩25,816.5
₩17,516.4
₩13,655.1
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS 450구매 가능한 공장 재고품
₩23,505.5
₩17,896.8
₩14,909.3
₩12,598.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube