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GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 18673 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

771-GAN041-650WSBQ

제조업체 번호:

GAN041-650WSBQ

제조업체:

Nexperia

설명:

GaN FET GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

데이터시트:

GAN041-650WSBQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Nexperia
제품 카테고리:	GaN FET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	SOT-429-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	47.2 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	41 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.5 V
Qg - 게이트 전하:	22 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	187 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	Nexperia
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품 유형:	GaN FETs
상승 시간:	10 ns
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN
부품번호 별칭:	934661752127
단위 중량:	123 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

규정 준수 코드

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

산업 애플리케이션용 GaN FET

Nexperia 산업 애플리케이션용 GaN FET는 효율적인 전력 사용과 전력 변환 및 제어 효율성을 제공합니다. 일부 애플리케이션의 경우 전력 변환 효율성과 전력 밀도가 시장 채택에서 중요하게 나섭니다. 대표적인 예로 고전압 통신 및 산업 인프라 부문을 들 수 있습니다. GaN FET는 전체 시스템 비용을 낮추면서 더 작고, 더 빠르고, 더 시원하고, 더 가벼운 시스템을 지원합니다.

GAN041-650WSB GaN(질화 갈륨) FET

Nexperia GAN041-650WSB GaN(질화 갈륨) FET는 650V의 드레인-소스 전압, 47.2A의 정격 드레인 전류 및 41mΩ의 저항을 제공합니다. GAN041은 TO-247 패키지로 제공되며 고전압 GaN HEMT H2 기술과 저전압 실리콘 MOSFET 기술을 결합한 상시 오프 장치입니다. 이러한 기술의 결합은 우수한 신뢰성과 성능을 제공합니다. Nexperia GAN041-650WSB GaN FET는 무브리지 토템폴 PFC, 서보 모터 드라이브, 산업용 및 데이터 통신용 하드 및 소프트 스위칭 변환기에 이상적입니다.