GaN FET – Mouser 대한민국

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CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터는 최대 650V의 전압 범위에서 전력 변환을 위한 고효율 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 기술을 특징으로 합니다. Infineon의 GaN 기술은 대량의 엔드 투 엔드 생산을 통해 e-모드의 개념을 성숙하게 합니다 이 선구적인 품질은 최고의 표준을 보장하고 가장 신뢰할 수 있는 성능을 제공합니다. 강화 모드 CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터는 초고속 스위칭으로 시스템 효율과 전력 밀도를 개선합니다.

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부품 번호

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: ₩6,084
4,511재고 상태
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제조업체 부품 번호
IGLR65R140D2XUMA1

Mouser 부품 번호
726-IGLR65R140D2XUMA

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Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

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4,511재고 상태

컷 테이프

₩6,084

₩3,993.6

₩2,792.4

₩2,293.2

₩2,199.6

릴

₩1,856.4

최소: 1
배수: 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: ₩4,680
4,825재고 상태
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제조업체 부품 번호
IGLR65R200D2XUMA1

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726-IGLR65R200D2XUMA

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Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

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4,825재고 상태

컷 테이프

₩4,680

₩2,870.4

₩2,043.6

₩1,700.4

릴

₩1,358.8

보기

최소: 1
배수: 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: ₩3,900
4,726재고 상태
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IGLR65R270D2XUMA1

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726-IGLR65R270D2XUMA

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Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

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4,726재고 상태

컷 테이프

₩3,900

₩2,386.8

₩1,684.8

₩1,366.6

릴

₩1,062.4

보기

최소: 1
배수: 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ₩13,369.2
1,183재고 상태
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IGLT65R045D2ATMA1

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726-IGLT65R045D2ATMA

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Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

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₩13,369.2

₩8,970

₩6,676.8

₩6,567.6

₩5,366.4

릴

₩5,350.8

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ₩7,363.2
1,515재고 상태
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IGLT65R110D2ATMA1

Mouser 부품 번호
726-IGLT65R110D2ATMA

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Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

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1,515재고 상태

컷 테이프

₩7,363.2

₩4,648.8

₩3,447.6

₩2,964

릴

₩2,402.4

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ₩20,935.2
898재고 상태
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제조업체 부품 번호
IGOT65R025D2AUMA1

Mouser 부품 번호
726-IGOT65R025D2AUMA

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Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

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898재고 상태

컷 테이프

₩20,935.2

₩15,490.8

₩12,916.8

₩11,200.8

릴

₩9,391.2

최소: 1
배수: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ₩16,411.2
482재고 상태
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제조업체 부품 번호
IGOT65R035D2AUMA1

Mouser 부품 번호
726-IGOT65R035D2AUMA

신제품

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

데이터시트

482재고 상태

컷 테이프

₩16,411.2

₩11,091.6

₩9,110.4

₩7,472.4

릴

₩7,456.8

최소: 1
배수: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ₩14,523.6
1,368재고 상태
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제조업체 부품 번호
IGOT65R045D2AUMA1

Mouser 부품 번호
726-IGOT65R045D2AUMA

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Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

데이터시트

1,368재고 상태

컷 테이프

₩14,523.6

₩9,656.4

₩7,051.2

₩6,676.8

릴

₩6,146.4

₩5,569.2

최소: 1
배수: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ₩12,589.2
613재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IGOT65R055D2AUMA1

Mouser 부품 번호
726-IGOT65R055D2AUMA

신제품

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

데이터시트

613재고 상태

컷 테이프

₩12,589.2

₩8,080.8

₩6,411.6

₩5,304

릴

₩4,836

최소: 1
배수: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ₩11,169.6
21재고 상태
3,600예상 2026-12-16
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제조업체 부품 번호
IGLT65R055D2ATMA1

Mouser 부품 번호
726-IGLT65R055D2ATMA

신제품

Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

데이터시트

21재고 상태

3,600예상 2026-12-16

컷 테이프

₩11,169.6

₩7,519.2

₩5,834.4

₩5,319.6

₩4,508.4

릴

₩4,508.4

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ₩20,295.6
5,493예상 2026-09-24
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IGLT65R025D2AUMA1

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726-IGLT65R025D2AUMA

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GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

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5,493예상 2026-09-24

컷 테이프

₩20,295.6

₩14,898

₩12,417.6

₩11,076

보기

릴

₩9,375.6

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

GaN FET HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ₩16,692
3,540주문 중
신제품

제조업체 부품 번호
IGLT65R035D2ATMA1

Mouser 부품 번호
726-IGLT65R035D2ATMA

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Infineon Technologies

GaN FET HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해

데이터시트

3,540주문 중

컷 테이프

₩16,692

₩11,263.2

₩8,798.4

₩7,191.6

릴

₩7,176

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터

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