GaN FET – Mouser 대한민국

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CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터는 최대 650V의 전압 범위에서 전력 변환을 위한 고효율 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 기술을 특징으로 합니다. Infineon의 GaN 기술은 대량의 엔드 투 엔드 생산을 통해 e-모드의 개념을 성숙하게 합니다 이 선구적인 품질은 최고의 표준을 보장하고 가장 신뢰할 수 있는 성능을 제공합니다. 강화 모드 CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터는 초고속 스위칭으로 시스템 효율과 전력 밀도를 개선합니다.

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결과: 12

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Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Qg - 게이트 전하

최저 작동온도

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이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	트랜지스터 극성	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	기술
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ₩6,084 4,511재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGLR65R140D2XUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLR65R140D2XUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	4,511재고 상태	컷 테이프 ₩6,084 ₩3,993.6 ₩2,792.4 ₩2,293.2 ₩2,199.6 릴 ₩1,856.4	최소: 1 배수: 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ₩4,477.2 4,815재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGLR65R200D2XUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLR65R200D2XUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	4,815재고 상태	컷 테이프 ₩4,477.2 ₩2,901.6 ₩1,996.8 ₩1,606.8 릴 ₩1,254.2 보기 ₩1,500.7 ₩1,472.6 ₩1,224.6	최소: 1 배수: 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ₩3,900 4,699재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGLR65R270D2XUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLR65R270D2XUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	4,699재고 상태	컷 테이프 ₩3,900 ₩2,511.6 ₩1,716 ₩1,366.6 릴 ₩1,062.4 보기 ₩1,243.3 ₩1,224.6 ₩1,015.6	최소: 1 배수: 1 : 5,000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies 1: ₩17,175.6 1,661재고 상태 1,800예상 2027-01-28 신제품	제조업체 부품 번호 IGLT65R035D2ATMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLT65R035D2ATMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,661재고 상태 1,800예상 2027-01-28	컷 테이프 ₩17,175.6 ₩9,828 ₩9,328.8 ₩8,798.4 ₩7,612.8 릴 ₩7,550.4	최소: 1 배수: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies 1: ₩13,369.2 977재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGLT65R045D2ATMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLT65R045D2ATMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	977재고 상태	컷 테이프 ₩13,369.2 ₩7,269.6 ₩6,676.8 ₩6,567.6 ₩5,725.2 릴 ₩5,350.8	최소: 1 배수: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	38 A	54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W		GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies 1: ₩7,363.2 1,262재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGLT65R110D2ATMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLT65R110D2ATMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,262재고 상태	컷 테이프 ₩7,363.2 ₩4,867.2 ₩3,447.6 ₩2,964 릴 ₩2,402.4	최소: 1 배수: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	15 A	140 mOhms	- 10 V	1.6 V	3.4 nC	- 40 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ₩20,794.8 602재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGOT65R025D2AUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGOT65R025D2AUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	602재고 상태	컷 테이프 ₩20,794.8 ₩13,946.4 ₩12,916.8 ₩11,200.8 릴 ₩9,391.2	최소: 1 배수: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	61 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ₩17,206.8 467재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGOT65R035D2AUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGOT65R035D2AUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	467재고 상태	컷 테이프 ₩17,206.8 ₩9,578.4 ₩9,141.6 ₩7,472.4 릴 ₩7,456.8	최소: 1 배수: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ₩13,774.8 2,068재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGOT65R045D2AUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGOT65R045D2AUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,068재고 상태	컷 테이프 ₩13,774.8 ₩7,503.6 ₩6,723.6 릴 ₩5,943.6 ₩5,569.2	최소: 1 배수: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ₩11,497.2 583재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 IGOT65R055D2AUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGOT65R055D2AUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	583재고 상태	컷 테이프 ₩11,497.2 ₩6,162 ₩5,647.2 ₩4,539.6 릴 ₩4,383.6	최소: 1 배수: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: ₩19,843.2 9,060주문 중 신제품	제조업체 부품 번호 IGLT65R025D2AUMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLT65R025D2AUMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	9,060주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IGLT65R025D2AUMA1 재고: 0 주문 중: 1,860 예상 2026-10-08 3,600 예상 2026-10-22 3,600 예상 2027-05-20 공장 리드 타임: 18 주	컷 테이프 ₩19,843.2 ₩11,247.6 ₩11,076 ₩10,966.8 ₩9,048 릴 ₩9,032.4	최소: 1 배수: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	67 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	219 W	Enhancement	GaN
GaN FET HV GAN DISCRETES IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies 1: ₩11,216.4 3,596예상 2026-11-19 신제품	제조업체 부품 번호 IGLT65R055D2ATMA1 Mouser 부품 번호 726-IGLT65R055D2ATMA 신제품	Infineon Technologies	GaN FET HV GAN DISCRETES Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	3,596예상 2026-11-19	컷 테이프 ₩11,216.4 ₩6,645.6 ₩5,725.2 ₩5,257.2 ₩4,508.4 릴 ₩4,508.4	최소: 1 배수: 1 : 1,800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN

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