TK16x60W Si N 채널 MOSFET(DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-채널 MOSFET(DTMOSIV)는 DTMOSIV 세대의 칩 설계를 나타내며 다양한 변형으로 제공됩니다. Si N 채널 MOSFET은 낮은 드레인 소스 온 저항과 빠른 역 복구 시간이 특징입니다. 이 MOSFET은 게이트 스위칭을 쉽게 제어할 수 있습니다. TK16x60W MOSFET은 다양한 크기로 제공되며 DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 및 TO-220SIS 다양한 패키지로 제공됩니다. 이 TK16x60W Si N-채널 MOSFET은 스위칭 전압 레귤레이터에 사용됩니다.

결과: 11
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ 966재고 상태
컷 테이프
₩6,598.8
₩3,369.6
₩3,057.6
₩2,605.2
릴
₩2,402.4
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ 2,487재고 상태
컷 테이프
₩6,723.6
₩3,510
릴
₩2,464.8
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC 226재고 상태
250예상 2027-02-19
₩6,786
₩3,541.2
₩3,276
₩2,511.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC 57재고 상태
₩5,444.4
₩2,730
₩2,683.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS 73재고 상태
₩10,015.2
₩5,834.4
₩5,288.4
₩4,773.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS 74재고 상태
₩10,062
₩6,583.2
₩4,851.6
₩4,305.6
₩3,822
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF 5재고 상태
₩7,269.6
₩3,978
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
999예상 2027-03-15
컷 테이프
₩7,207.2
₩3,744
₩3,385.2
₩2,870.4
릴
₩2,698.8
₩2,542.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
348주문 중
₩6,536.4
₩3,338.4
₩3,229.2
₩2,433.6
₩2,371.2
최소: 1
배수: 1
Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC 재고 없음
₩9,999.6
₩6,552
₩4,820.4
₩4,274.4
₩3,806.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A 비재고 리드 타임 16 주
릴
₩2,121.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel