CDMS24783-120 SL

Central Semiconductor
610-CDM24783120SL
CDMS24783-120 SL

제조업체:

설명:
SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

제품 속성 속성 값 속성 선택
Central Semiconductor
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
18 A
150 mOhms
20 V
4 V
55 C
- 55 C
+ 175 C
28 W
Depletion
브랜드: Central Semiconductor
구성: Single
제품: MOSFETs
제품 유형: SiC MOSFETS
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Transistors
기술: SiC
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
타입: SiC MOSFET
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

규정 준수 코드
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
필리핀
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
불가능
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET

Central Semiconductor CDMS24783-120 Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications. This SiC MOSFET features a 20V gate-source voltage, 18A continuous drain current, 28W power dissipation, and 20A pulsed drain current. The CDMS24783-120 MOSFET supports higher breakdown voltage and better thermal conductivity. This device is available in a TO-247 package with an operating temperature range of -55°C to 175°C. Typical applications include Electric Vehicles (EV), renewable energy systems, and medical imaging equipment.

재고 상태: 40

재고:
40 즉시 배송 가능
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩44,662.8 ₩44,663
₩31,761.6 ₩317,616