AT28C256 256K EEPROM 메모리

Microchip AT28C256 256K EEPROM 메모리 장치는 고성능 EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read-only Memory)입니다. EEPROM 256K 메모리는 32,768워드 x 8비트로 구성됩니다. 이 장치는 Atmel의 고급 비휘발성 CMOS 기술로 제조되며, 액세스 시간은 150ns, 전력 손실은 440mW입니다. AT28C256 메모리 장치는 외부 구성요소를 사용할 필요 없이 읽기 또는 쓰기 사이클에 대해 정적 RAM과 같이 액세스됩니다. 이 AT28C256 장치에는 동시에 최대 64바이트를 쓸 수 있도록 64바이트 페이지 레지스터가 있습니다. EEPROM 장치는 내구성 강화와 데이터 보존 특성 향상을 위해 내부 오류 보정 기능을 활용합니다. 

결과: 65
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
인터페이스 타입
최대 클록 주파수
조직
패키지/케이스
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
장착 스타일
데이터 유지
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Microchip Technology EEPROM 150NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
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PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 200NS, FLATPACK, 883C; LEV B COMPLIANT
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FlatPack-28 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 200NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
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배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 200NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
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최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 250NS, FLATPACK, 883C; LEV B COMPLIANT
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FlatPack-28 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, FLATPACK, 883C; LEV B COMPLIANT
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FlatPack-28 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
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LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
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LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
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최소: 20
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PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
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256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
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256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PGA-28 200 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
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256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
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256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
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256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
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256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
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256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
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256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
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최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
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256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk

Microchip Technology EEPROM 150NS CERDIP
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 DIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 150NS, FLATPACK, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 15
배수: 15

FlatPack-28 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 150NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube