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SSM6N951L/SSM10N954L 전계 효과 트랜지스터

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L 전계 효과 트랜지스터는 소형 셀 배터리에서 고효율 충전/방전을 촉진합니다. 낮은 열 충격으로 배터리’신뢰성을 개선하는 것은 빠른 충전을 채택하는 리튬-이온 배터리의 핵심 요구 사항입니다. MOSFET은 일반적으로 충전/방전 보호 회로를 스위치로 사용하며 리튬-이온 배터리 팩에 내장되는 경우가 많습니다.

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결과: 2

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Id - 연속 드레인 전류

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	기술	장착 스타일	패키지/케이스	트랜지스터 극성	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	포장
	MOSFET TCSPAC N-CH 12V 13.5A SSM10N954L,EFF Toshiba 1: ₩3,229.2 4,533재고 상태	제조업체 부품 번호 SSM10N954L,EFF Mouser 부품 번호 757-SSM10N954LEFF	Toshiba	MOSFET TCSPAC N-CH 12V 13.5A Toshiba ssm6n951l fet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	4,533재고 상태	컷 테이프 ₩3,229.2 ₩1,547.5 ₩1,385.3 ₩1,098.2 보기 릴 ₩903.2 ₩1,006.2 ₩940.7 ₩903.2 ₩903.2	최소: 1 배수: 1 : 10,000			Si	SMD/SMT	TCSPAC-153001-10	N-Channel	1 Channel	12 V	13.5 A		8 V	1.4 V	25 nC		+ 150 C	1.4 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
	MOSFET N-ch x 2 Common-drain MOSFET, 12V, 8A, 0.0051 Ohm@4.5V, TCSP6A-172101 SSM6N951L,EFF Toshiba 1: ₩3,104.4 5,758재고 상태	제조업체 부품 번호 SSM6N951L,EFF Mouser 부품 번호 757-SSM6N951L,EFF	Toshiba	MOSFET N-ch x 2 Common-drain MOSFET, 12V, 8A, 0.0051 Ohm@4.5V, TCSP6A-172101 Toshiba ssm6n951l fet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	5,758재고 상태	컷 테이프 ₩3,104.4 ₩1,918.8 ₩1,257.4 ₩989 릴 ₩655.2 보기 ₩845.5 ₩766 ₩680.2 ₩644.3	최소: 1 배수: 1 : 10,000			Si	SMD/SMT		N-Channel	2 Channel	12 V	8 A	5.1 mOhms	8 V	1.4 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	700 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape

SSM6N951L/SSM10N954L 전계 효과 트랜지스터

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