LMG342xR030 GaN FET(전계 효과 트랜지스터)

Texas Instruments LMG342xR030 GaN FET(전계 효과 트랜지스터)는 설계자가 전력 전자 시스템에서 새로운 전력 밀도 및 효율성 수준을 달성할 수 있도록 지원하는 통합 드라이버 및 보호 기능과 함께 제공됩니다.

결과: 7
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
타입
장착 스타일
패키지/케이스
드라이버 수
출력 수
출력 전류
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
구성
상승 시간
하강 시간
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Texas Instruments 게이트 드라이버 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
데이터시트
211재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 250

GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Non-Inverting - 40 C + 125 C LMG3426R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZR
데이터시트
606재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 250

Driver ICs - Various Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 50 mA, 1 A 7.5 V 18 V Inverting, Non-Inverting 4 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3422R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZR
데이터시트
371재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 250

Driver ICs - Various High-Side, Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Inverting, Non-Inverting 2.5 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3425R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Isolated Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 3 Output 1.2 A 7.5 V 18 V Non-Inverting 4 ns 21 ns - 40 C + 150 C LMG3422R030 Reel
Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Driver ICs - Various High-Side, Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Inverting, Non-Inverting 2.5 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3425R030 Reel
Texas Instruments 게이트 드라이버 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Gate Drivers Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 50 mA, 1 A 7.5 V 18 V Non-Inverting 4 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3427R030 Reel
Texas Instruments 게이트 드라이버 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
없음
GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Non-Inverting - 40 C + 125 C LMG3426R030 Reel