FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

결과: 12
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
자격
포장

onsemi IGBT FS3 TIGBT Excellent switching performan
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502재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube
onsemi IGBT 600 V 80 A 79 W
데이터시트
517재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 30

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBT 650V 150A 187W
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332재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 150 A 187 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD Tube

onsemi IGBT 650V/75A FS TRENCH IGBT
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758재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.69 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD AEC-Q101 Tube
onsemi IGBT 650V, 60A Field Stop IGBT
데이터시트
1,085재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGA60N65SMD Tube

onsemi IGBT 650V FS3 Trench IGBT
데이터시트
578재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 40

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDT Tube

onsemi IGBT 650 V 100 A 240 W
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81재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 340 W - 55 C + 175 C FGH50T65UPD Tube
onsemi FGH60T65SHD-F155
onsemi IGBT FS3TIGBT TO247 60A 650V
데이터시트
2,165재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 270

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 349 W - 55 C + 175 C FGH60T65SHD Tube
onsemi IGBT 650V, 40A Field Stop IGBT
데이터시트
81재고 상태
900주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 150

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGA40N65SMD Tube
onsemi IGBT FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
데이터시트
55재고 상태
450예상 2026-12-01
최소: 1
배수: 1
최대: 60

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGA40T65SHD Tube

onsemi IGBT 650V FS Gen3 Trench IGBT
데이터시트
105재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHDF Tube
onsemi FGH40T65SHD-F155
onsemi IGBT FS3TIGBT TO247 40A 650V
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHD Tube