결과: 11
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
Nexperia GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,908재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,921재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,155재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 83재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 531재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
250예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
250예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
249예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
250예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
250예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
250예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1