ThunderFET® 150-250V MOSFET

Vishay Siliconix ThunderFET® 150-250V MOSFET는 N채널 극성 유형으로 150V, 200V 및 250V의 Vds 전압을 포함합니다. 현재 TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263 및 TO-220AB와 같은 패키지 유형이 있습니다. SIR692DP 250V 성능 지수(FOM)는 이전 세대보다 42% 낮습니다. SIR692DP는 전력 손실과 관련된 전도를 줄이고 다양한 애플리케이션에서 전력 밀도를 높여줍니다. PowerPAK SO-8 패키지는 패키지 저항과 기생 인덕턴스를 최소화하여 최상의 Rds, Qg 및 Qoss를 달성합니다.
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결과: 5
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Vishay / Siliconix MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
데이터시트
8,252재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 37.2 mOhms 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 65.2 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
데이터시트
3,525재고 상태
3,000예상 2026-10-08
최소: 1
배수: 1
최대: 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 29 A 28.5 mOhms 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 69.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
데이터시트
2,544재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
데이터시트
353재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
데이터시트
35,990주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 250 V 24.2 A 52 mOhms 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel