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NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 76736 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NVXK2TR80WDT

제조업체 번호:

NVXK2TR80WDT

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET 모듈 APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

데이터시트:

NVXK2TR80WDT 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
기술:	SiC
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	APM-32
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	4 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	20 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	116 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.3 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	82 W
시리즈:	NVXK2TR80WDT
포장:	Tube
브랜드:	onsemi
구성:	Dual Half-Bridge
하강 시간:	9 ns
높이:	5.8 mm
길이:	44.2 mm
제품 유형:	MOSFET Modules
상승 시간:	12 ns
팩토리 팩 수량:	60
하위 범주:	Discrete and Power Modules
상표명:	EliteSiC
타입:	Half-Bridge
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns
너비:	29 mm

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NVXK2TR80WDT 데이터시트

Material Composition Disclosure

규정 준수 코드

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 중국
COD(확산 공정 국가):: 대한민국

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

NVXK2TR80WDT SiC(탄화 규소) 모듈

Onsemi NVXK2TR80WDT SiC (탄화 규소) 모듈은 APM32 듀얼 인라인 패키지(DIP)에 들어 있는 1,200V, 80mΩ 및 20A 듀얼 하프 브리지 소자 IC 전력 모듈입니다. 이 SiC 모듈은 총 모듈 저항이 낮도록 콤팩트하게 설계되었습니다. NVXK2TR80WDT 전력 모듈은 AEC-Q101 및 AQG324에 따른 자동차 전장 등급입니 . 이 전력 모듈은 무연이며 RoHS 및 UL94V-0 규격을 준수합니다. NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET 모듈은 xEV 애플리케이션의 HV DC-DC 및 보드 내장형 충전기에 사용하기에 적합합니다.