CoolSiC™ 1200V SIC 트렌치 MOSFET

Infineon Technologies  CoolSiC™ 1,200V SiC 트렌치 MOSFET은 탄화 규소의 강력한 물리적 특성과 고유의 특징을 결합하여 장치의 성능, 견고성 및 사용 편의성을 향상시킵니다. CoolSiC 1,200V SiC 트렌치 MOSFET은   최저 애플리케이션 손실과 최고의 작동 신뢰성을 제공하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 프로세스를 기반으로 제작됩니다. 고온 및 혹독한 환경 작동에 적합한 이 장치를 사용하면 최고의 시스템 효율로 간단하고 비용 효율적인 배포가 가능합니다.

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트랜지스터 극성


Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1,212재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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617재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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368재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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948재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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699재고 상태
240예상 2026-10-01
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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721재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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4,390재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
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603재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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333재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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442재고 상태
720주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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594재고 상태
2,160주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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571재고 상태
720예상 2026-10-01
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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260재고 상태
480예상 2026-09-30
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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480예상 2026-10-08
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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135재고 상태
2,640주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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142재고 상태
240예상 2026-10-29
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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472재고 상태
240예상 2026-11-19
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
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187재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2,160주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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1,169주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 240

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2,877주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
데이터시트
1,440주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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960예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel